臺積電 2nm 工藝將繼續(xù)漲價：每片晶圓超 3 萬美元，為 4/5nm 兩倍

10 月 5 日消息，據(jù)報道，臺積電在 2nm 制程節(jié)點上取得了重大突破，將首次引入 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)。

N2 工藝還結(jié)合了 NanoFlex 技術(shù)，為芯片設(shè)計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相較于當前的 N3E 工藝，N2 工藝預(yù)計將在相同功率下實現(xiàn) 10% 至 15% 的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低 25% 至 30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升 15%，這標志著臺積電在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。

據(jù)報道，臺積電每片 300mm 的 2nm 晶圓的價格可能超過 3 萬美元，高于之前預(yù)期的 2.5 萬美元。相比之下，目前 3nm 晶圓的價格大概在 1.85 萬至 2 萬美元，而 4/5nm 晶圓的價格在 1.5 到 1.6 萬美元之間。

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臺積電 2nm 工藝將繼續(xù)漲價：每片晶圓超 3 萬美元，為 4/5nm 兩倍

臺積電 2nm 工藝將繼續(xù)漲價：每片晶圓超 3 萬美元，為 4/5nm 兩倍